Samsung разработала первый в мире модуль памяти стандарта DDR4

Компания Samsung сообщила, что ей удалось закончить разработку первого в мире модуля памяти DRAM стандарта DDR4. Отмечается, что разработка была завершена еще в прошлом месяце, но лишь сейчас совершен официальный анонс.

Разработанный модуль памяти использует чипы памяти, которые производятся по нормам 30-нанометрового технологического процесса. Такое устройство способно работать на частоте от 2133 МГц при рабочем напряжении питания 1,2 В. При этом отмечается, что распространенные в настоящее время модули памяти стандарта DDR3, изготовленные по нормам такого же 30-нанометрового технологического процесса, обеспечивают рабочую частоту до 1600 МГц при напряжении 1,35 или 1,5 В, а для достижения сопоставимых частот требуется повышать напряжение до 1,65 В. Кроме того, стандарт DDR4 подразумевает возможность работы модулей памяти на частоте до 4266 МГц. По заверениям разработчиков, использование модулей памяти стандарта DDR4 в ноутбуках позволит снизить уровень энергопотребления подсистемы памяти на 40% по сравнению с модулями стандарта DDR3, работающими с напряжением 1,5 В. Новые модули памяти Samsung стандарта DDR4 при использовании существующих технологий будут способны работать в частотном диапазоне до 3200 МГц.
Отмечается, что компания Samsung уже начала отгрузку новых модулей памяти UDIMM (unbuffered dual in-line memory modules) стандарта DDR4 объемом 2 ГБ производителям контроллеров для тестирования. Планируется, что стандартизация памяти DDR4 будет завершена во второй половине этого года.